飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF8S21100H

第1版， 2011年3月

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

适用于W - CDMA和LTE基站应用的频率

2110年至2170年兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型

蜂窝基站的调制格式。

典型的单 - 载波W - CDMA性能： V

DD

= 28伏，我

DQ

=

700毫安，P

OUT

= 24瓦平均， IQ幅度裁剪，通道

带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率

在CCDF 。

频率

2110兆赫

2140兆赫

2170兆赫

G

ps

（ dB）的

17.9

18.1

18.3

η

D

(%)

33.0

33.0

33.4

PAR输出

（ dB）的

6.4

6.4

6.3

ACPR

（ DBC）

--38.7

--38.2

--37.2

MRF8S21100HR3

MRF8S21100HSR3

2110-

-2170兆赫， 24瓦平均， 28 V

W-

-CDMA ， LTE

横向N-

声道

RF功率MOSFET

能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 138瓦CW

(1)

输出功率（从额定P 3 dB输入过载

OUT

)

典型的P

OUT

@ 1 dB压缩点

100瓦CW

特点

100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

和常见的源极S - 参数

内部匹配的易用性

集成ESD保护

更大的负栅 - 源电压范围为改良C级

手术

专为数字预失真纠错系统

优化的Doherty应用

符合RoHS

在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。

对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 14 。

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

工作电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(2,3)

CW操作@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

符号

V

DSS

V

GS

V

DD

T

英镑

T

C

T

J

CW

CASE 465-

-06 ，风格1

NI-

-780

MRF8S21100HR3

CASE 465A-

-06 ，风格1

NI-

-780S

MRF8S21100HSR3

价值

--0.5, +65

--6.0, +10

32, +0

--65到150

150

225

108

0.57

单位

VDC

VDC

VDC

°C

°C

°C

W

W / ℃，

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度77 ° C， 24瓦CW ， 28伏直流电，我

DQ

= 700毫安， 2140兆赫

外壳温度80 ° C， 100瓦CW

(1)

， 28伏直流，我

DQ

= 700毫安， 2140兆赫

符号

R

θJC

价值

(3,4)

0.48

0.45

单位

° C / W

1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。

在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。

3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

4.参考AN1955 ，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。

选择文档/应用笔记 - AN1955 。

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MRF8S21100HR3 MRF8S21100HSR3

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