表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2600 V
B，通过200伏
四，通过2000伏
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 200 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 90伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.32毫安）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 200 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.26 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
0.2
697
1391
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.7
—
1.7
2.4
0.25
2.4
3.2
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
20
200
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200毫安， P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦的魅力。 ）
F = 1030兆赫， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
18.5
58.0
—
19.7
62.0
--18
22.0
—
--9
dB
%
dB
典型的宽带性能 - 960-
-1215兆赫
（飞思卡尔960--1215兆赫测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流电，
I
DQ
= 200毫安， P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦平均） ， F = 960--1215兆赫， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
—
—
18.5
57.0
—
—
dB
%
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
