典型特征
10000
1000
C，电容（pF ）
100
10
1
C
RSS
0.1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
最大操作时间
例
(°C)
C
国际空间站
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
25
占空比（ ％ ）
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200毫安
F = 1030兆赫，脉冲宽度= 128
微秒
P
OUT
= 525 W
P
OUT
= 500 W
P
OUT
= 475 W
图3.电容与漏极 -
- 源电压
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
18
17
16
15
14
30
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200 mA时， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
η
D
G
ps
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
图4.安全工作区
62
P3dB = 57.6 dBm的（ 575 W）
61
理想
60
59的P1dB = 57.1 dBm的（ 511 W）
58
57
实际
56
55
54
53
52
51
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 200 mA时， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
50
49
32
34
36
38
40
42
30
P
in
输入功率（dBm ） PEAK
图5.功率增益和漏极效率
与输出功率
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
18
17
30
400毫安
200毫安
600毫安
I
DQ
= 800毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
16
15
14
V
DD
= 50伏， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
1000
13
12
30
图6.输出功率与输入功率
I
DQ
= 200 mA时， F = 1030 MHz的
脉冲宽度= 128
微秒
占空比= 10 ％
35 V
50 V
45 V
40 V
V
DD
= 30 V
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益与输出功率
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
