飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF6S21140H

启5 ， 2/2010

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

适用于W - CDMA基站应用从2110频率

到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器

应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL

应用程序。

典型2 - 载波W - CDMA性能： V

DD

= 28伏，我

DQ

= 1200毫安，

P

OUT

= 30瓦的魅力。 ， F = 2112.5 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，

PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。

功率增益 - 15.5分贝

漏极效率 - 27.5 ％

IM3 @ 10 MHz偏移 - --37 dBc的在3.84 MHz信道带宽

ACPR @ 5 MHz偏移 - --41 dBc的在3.84 MHz信道带宽

能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 140瓦CW

输出功率

特点

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

内部匹配的易用性

资格高达32 V ，最大

DD

手术

集成ESD保护

优化的Doherty应用

符合RoHS

在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。

MRF6S21140HR3

MRF6S21140HSR3

2110-

-2170兆赫， 30瓦平均， 28 V

2× W-

-CDMA

横向N-

声道

RF功率MOSFET

CASE 465B-

-03 ，风格1

NI-

-880

MRF6S21140HR3

CASE 465C-

-02 ，风格1

NI-

-880S

MRF6S21140HSR3

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(1,2)

符号

V

DSS

V

GS

T

英镑

T

C

T

J

价值

--0.5, +68

--0.5, +12

- 65 + 150

150

225

单位

VDC

VDC

°C

°C

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度80 ° C， 140瓦特CW

外壳温度75 ° C， 30瓦CW

符号

R

θJC

价值

(2,3)

0.35

0.38

单位

° C / W

在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

3.请参阅AN1955 / D，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。选择

文档/应用笔记 - AN1955 。

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MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3

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RF设备数据

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