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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF18060A
牧师11 ， 10/2008
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
1800年至2000年兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的GSM性能@ 1805 MHz的
功率增益 - 13分贝@ 60瓦
效率 - 45 ％@ 60瓦
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 1840兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF18060ALR3
1805年至1880年兆赫， 60 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
表1.最大额定值
等级
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
180
1.03
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
≥
25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.97
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF18060ALR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
最后点菜08年10月3日最后一艘船09年5月14日
射频功率场效应晶体管
终身买入
