应用信息
设计注意事项
该装置是一个共源， RF功率， N沟道
增强模式，横向金属氧化物半导体
场效应晶体管（ MOSFET ） 。摩托罗拉应用
注AN211A ， “场效应管的理论与实践” ，建议
阅读对于那些不熟悉的建设和煤焦
FET的Cucumis Sativus查阅全文。
这表面贴装封装器件的设计革命制度党
玛利莲的VHF和UHF便携式功放应用
系统蒸发散。制造是利用磁带改进和
完全自动化的挑选和放置卷轴的能力
件。但是，应注意，在设计过程
以保证设备的正常散热。
横向RF功率MOSFET的主要优势IN-
CLUDE高增益，偏置简单的系统，从相对免疫力
热失控，并承受严重误的能力
匹配负载不遭受损害。
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
所有这三个终端之间。金属氧化物栅极结构
确定该电容器从栅极到漏极（℃
gd
） ，以及
栅极 - 源极（三
gs
） 。在FAB-形成的PN结
的射频MOSFET rication导致结电容
从漏极到源极（三
ds
） 。这些电容都是字符
terized作为输入（C
国际空间站
） ，输出（三
OSS
）和反向传输
(C
RSS
)
电容上的数据表。关系如下─
补间的端子间电容和所给出的
数据表如下所示。了C
国际空间站
可以在指定的
有两种方法：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。
在后者的情况下，数量也低。然而，无论是
方法代表了射频AP-实际运行条件
并发症。
在这些条件下，漏极 - 源极电压被称为
V
DS （ ON）
。对于MOSFET的V
DS （ ON）
具有正温度
系数在高温下，因为它有助于
在装置内的功率耗散。
BV
DSS
此设备值比正常高重
需要准备的典型应用。 BV的测量
DSS
不
推荐的，并可能导致可能到设备损坏
副。
GATE特性
的射频MOSFET的栅极是多晶硅材料，并
是从由氧化物层的源极电绝缘。
直流输入阻抗非常高 - 10量级
9
- 导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过将正电压施加到实现
栅极大于所述栅极到源极阈值电压，
V
GS （ TH）
.
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压
投资评级。超过额定V
GS
可导致永久
损坏在栅极区域中的氧化物层。
门终止
- 这些器件的栅极被第ES
sentially电容。电路的离开门打开，税务局局长
cuited或浮动应该避免。这些条件可以
结果在点灯由于电压累积在设备上的
输入电容由于漏电流或皮卡。
栅极保护
- 这些设备不具有内部
从栅极到源极的单片齐纳二极管。如果门保护
化是必需的，一个外部齐纳二极管被推荐。
使用电阻器，以保持栅极 - 源极阻抗低
也有助于抑制瞬态和服务的又一重要
功能。在漏极电压瞬变可耦合到
过寄生栅极 - 漏极电容的栅极。如果
栅极到源极的阻抗和电压的变化率
在漏极都为高，则耦合到所述栅极信号
可以足够大，以超过门限电压
并开启设备。
直流偏置
因为该装置是一种增强型FET ，漏极电流
租金流只有当门处于较高的电位
源。 RF功率FET与静态优化操作
漏电流（I
DQ
） ，其值取决于应用程序。
该设备的特点是，在我
DQ
= 150毫安，这是
偏置电流为典型应用的建议值。为
特殊的应用，如线性放大，我
DQ
五月
已被选择以优化的关键参数。
门是一个直流开路和不消耗电流。 There-
前，栅极偏压电路通常可以只是一个简单的重新
sistive分压网络。可能有些特殊应用
需要更精细的偏压系统。
增益控制
这个装置的功率输出可被控制在一定DE-
格力与施加到栅极的低功率DC控制信号，
从而便于应用，例如手动增益控制，
ALC / AGC和调制系统。这个特性是
非常依赖于频率和负载线。
漏
C
gd
门
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
gd
+ C
ds
C
RSS
= C
gd
C
ds
C
gs
来源
排水特性
值得一FET的一个关键的数字是它的静态阻力
在全导通状态。此导通电阻，R
DS （ ON）
，发生
在输出特性和的线性区域是试样
田间在特定的栅 - 源电压和漏电流。该
摩托罗拉RF设备数据
MRF1517T1
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