表8. LVDS直流特性
(T
A
= -40 ° C至85°C ）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
条件
差分LVDS时钟输出（ QC0 ， QC0和QC1 ， QC1 ）为V
DD
= 3.3 V
±
5%
V
PP
V
OS
输出电压差
(1)
（峰 - 峰值）
输出失调电压
（ LVDS ）
（ LVDS ）
100
1050
400
1600
mV
mV
1. V
PP
所需的最小差分输入电压摆幅保持交流特性包括T
PD
和设备到设备歪斜。
表9. LVPECL直流特性
(T
A
= -40 ° C至85°C ）
(1)
符号
特征
民
典型值
最大
单位
条件
差动LVPECL时钟输入（ CLK1 ， CLK1 ）为V
DD
= 3.3 V
±
0.5%
V
PP
V
CMR
差分电压
(2)
（峰 - 峰值）
差分输入电压交叉点
(3)
（ LVPECL ）
（ LVPECL ）
250
1.0
V
DD
– 0.6
mV
V
1. AC特点是设计的目标和悬而未决的表征。
2. V
PP
所需的最小差分输入电压摆幅保持交流特性包括T
PD
和设备到设备歪斜。
3. V
CMR
交流（AC）的差分输入信号的交叉点。当交叉点是V内获得正常交流操作
CMR
（AC）的
在V范围内的输入摆幅的谎言
PP
（ AC）特定连接的阳离子。违反第五
CMR
交流（AC）或V
PP
（AC）的影响，该装置的传播延迟，
设备和零件到部件歪斜。
表10. LVCMOS I / O直流特性
(T
A
= -40 ° C至85°C ）
符号
LVCMOS为V
DD
= 3.3 V
±
5%
V
IH
V
IL
I
IN
输入高电压
输入低电压
输入电流
(1)
2.0
V
DD
+ 0.3
0.8
± 200
V
V
A
LVCMOS
LVCMOS
V
IN
= V
DDL
或GND
特征
民
典型值
最大
单位
条件
LVCMOS为V
DD
= 3.3 V
±5%,
V
DDOA
= 3.3 V
±
5和V
DDOB
= 3.3 V
±
5%
V
OH
V
OL
Z
OUT
输出高电压
输出低电压
输出阻抗
14 – 17
2.4
0.5
V
V
I
OH
= -24毫安
I
OL
= 24毫安
LVCMOS为V
DD
= 3.3 V
±5%,
V
DDOA
= 2.5 V
±
5％和V
DDOB
= 2.5 V
±
5%
V
OH
V
OL
Z
OUT
输出高电压
输出低电压
输出阻抗
18 – 22
1.9
0.4
V
V
I
OH
= -15毫安
I
OL
= 15毫安
1.输入具有影响的输入电流下拉电阻。
MPC9850
6
高级时钟驱动器设备
飞思卡尔半导体公司
