电气特性
表2.推荐工作条件（续）
特征
结温范围
符号
Tj
推荐
价值
0至105
单位
°C
笔记
—
注意事项：
1.该电压是输入到所讨论的过滤器
第22.2节“ PLL电源滤波， ”
并且不一定是电压
在AV
DD
销，其可从V减小
DD
通过该过滤器。
2.
注意事项：
MV
IN
不得超过GV
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
3.
注意事项：
OV
IN
不得超过OV
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
4.
注意事项：
L /电视
IN
必须不超过L /电视
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
图2
示出了下冲和过冲电压，该设备的接口。
B / G / L / O / TV
DD
+ 20%
B / G / L / O / TV
DD
+ 5%
V
IH
B / G / L / O / TV
DD
GND
GND - 0.3 V
V
IL
GND - 0.7 V
不超过10 ％
的t
CLOCK1
注意事项：
1. t
时钟
是指与相应的接口相关联的时钟周期：
对于我
2
C和JTAG ，T
时钟
引用SYSCLK 。
对于DDR ，T
时钟
引用MCLK 。
对于eTSEC ，T
时钟
引用EC_GTX_CLK125 。
对于LBIU ，T
时钟
引用LCLK 。
对于PCI ，T
时钟
引用PCIn_CLK或系统时钟。
对于串行解串器，T
时钟
引用SD_REF_CLK 。
2.注意与PCI过冲允许的（如上规定） ，所述装置
不完全符合AC最大额定值和设备保护
准则中的PCI转介绍。 2.2标准（第4.2.2.3 ） 。
图2.过冲/下冲电压为GV
DD
/ OV
DD
/ LV
DD
/ BV
DD
/ TV
DD
核心电压必须始终在标称1.1 V的电压被提供到所述处理器接口的I / O是
通过电源脚分开集提供的，必须在所示的电压被提供
表2中。
该
输入电压阈值尺度相对于相关的I / O电源电压。 OV
DD
和LV
DD
基于
接收器是简单的CMOS I / O电路，并满足相应的LVCMOS型规格。在DDR
SDRAM接口使用单端差分接收机引用的外部提供的MV
REF
信号（通常设定为GV
DD
/ 2 ），为适合于SSTL2电信令标准。
MPC8548E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，版本8
12
飞思卡尔半导体公司
