电气特性
表1.绝对最大额定值
1
（续）
特征
DDR和DDR2 DRAM I / O电压
三速以太网I / O ， MII管理电压
符号
GV
DD
LV
DD
(eTSEC1)
TV
DD
(eTSEC3)
PCI， DUART ，系统控制以及电源管理，我
2
C和
JTAG I / O电压
局部总线的I / O电压
OV
DD
BV
DD
最大值
-0.3 2.75
-0.3 1.98
-0.3 3.63
-0.3 2.75
-0.3 3.63
-0.3 2.75
-0.3 3.63
-0.3 3.63
-0.3 2.75
-0.3 1.98
-0.3 （ GV
DD
+ 0.3)
-0.3 （ GV
DD
+ 0.3)
-0.3 （LV
DD
+ 0.3)
-0.3 （电视
DD
+ 0.3)
-0.3 （ BV
DD
+ 0.3)
-0.3 （ OV
DD
+ 0.3)
-0.3 （ OV
DD
+ 0.3)
-55到150
单位
V
V
V
V
V
笔记
—
—
—
—
—
输入电压
DDR / DDR2 DRAM的信号
DDR / DDR2 DRAM参考
三速以太网信号
本地总线信号
DUART ，系统时钟，系统控制和电源
管理，我
2
C和JTAG信号
PCI
MV
IN
MV
REF
LV
IN
TV
IN
BV
IN
OV
IN
OV
IN
T
英镑
V
V
V
V
V
V
°C
2
2
2
—
2
2
—
存储温度范围
注意事项：
1.功能和测试的操作条件在给定的
表2中。
绝对最大额定值仅为应力额定值，以及
功能操作的最大值不能保证。超出所列的压力可能会影响器件的可靠性和原因。
2. （M ， L，O ）V
IN
和MV
REF
可能会过冲/下冲的电压和最大持续时间，如图
图2中。
2.1.2
推荐工作条件
表2
提供推荐工作条件此设备。另外，在数值
表2
是
推荐的和测试的操作条件。这些条件之外正确的设备操作不
保证。
表2.推荐工作条件
特征
核心供电电压
PLL供电电压
对收发器的SerDes核心供电
对于串行解串器收发器垫电源
DDR和DDR2 DRAM I / O电压
符号
V
DD
AV
DD
SV
DD
XV
DD
GV
DD
推荐
价值
1.0 ± 50毫伏
1.0 ± 50毫伏
1.0 ± 50毫伏
1.0 ± 50毫伏
2.5 V± 125 mV的
1.8 V± 90 mV的
单位
V
V
V
V
V
笔记
—
1
—
—
2
MPC8533E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，版本5
飞思卡尔半导体公司
9
