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PSMN030-150B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
版本02 - 2010年12月13日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
SiliconMAX标准水平的N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在
一个塑料包装使用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的
仅在计算，通信，消费电子和工业应用。
1.2特点和优点
更高的运行功率因低
热阻
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态电阻
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C
条件
T
mb
= 25 °C
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
150
250
V
W
55.5 A
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
静态特性
R
DSON
-
24
30
m
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 55.5 A;
V
DS
= 120 V ;牛逼
j
= 25 °C
-
38
50
nC
