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恩智浦半导体
PSMN030-150B
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
8.修订历史记录
表7中。
修订历史
发布日期
20101213
数据表状态
产品数据表
变更通知
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SUPERSEDES
PSMN030-150B第1节
文档ID
PSMN030-150B第2节
莫迪科幻阳离子：
这个数据表格式已重新设计，以符合新的身份指引
恩智浦半导体。
法律文本已适应了新的公司名称在适当情况下。
产品数据表
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PSMN030-150B第1节
20001201
PSMN030-150B
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产品数据表
版本02 - 2010年12月13日
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