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电气特性
特征
开关特性（注5 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注5 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
I
BL
民
75
40
6.0
35
50
75
100
40
50
35
0.6
300
最大
10
10
10
20
300
0.3
1.0
1.2
2.0
8
25
4.0
10
25
225
60
单位
V
V
V
nA
μA
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0, T
A
= 150°C
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
B
B
B
B
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
电流增益带宽产品
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
f
T
NF
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= 20V ，我
C
= 20mA时，
F = 1.0MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 100μA,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
V
BE （OFF）的
= -0.5V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
200
1,000
P
D
，功耗（毫瓦）
150
h
FE
，直流电流增益
0
25
100
100
10
50
50
75 100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1最大功率耗散与环境温度
0
1
0.1
1
1,000
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2典型的直流电流增益vs.Collector电流
DS30080牧师9 - 2
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MMST2222A
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