恩智浦半导体
PSMN1R7-30YL
N沟道30 V 1.7毫欧的LFPAK逻辑电平MOSFET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
帝斯曼
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
峰值漏极 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 100 A;
V
SUP
≤
30 V ;
GS
= 50
;
松开
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
t
p
≤
25纳秒; F
≤
500千赫; ê
DS （ AL ）
≤
360 NJ;
脉冲
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
脉冲;吨
p
≤
10微秒;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
[1]
民
-
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
35
30
20
100
100
790
109
175
175
100
790
241
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
[1]
连续电流通过封装的限制。
120
I
D
(A)
100
(1)
003aac446
120
P
DER
(%)
80
03aa16
80
60
40
40
20
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PSMN1R7-30YL
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第1版 - 二零一一年五月三十日
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