设计信息
包括在VRAMP路径的二极Sallenkey过滤以除去DAC的噪音，并提供VRAMP
信号平滑。
7.2
抗饱和度检测功能
该MMM6035防止降解开关瞬态的，不管电池的条件下，由于一个
内部抗饱和检测功能。该块的目的是维持所述RF输出功率爬坡
内的功率随时间变化的面具，并保持在指定的偏移可接受的光谱范围
频率。
抗饱和检测功能由功率控制环路内的反馈环路来实现
其检测时的功率控制器的PMOS进入线性区域。反馈回路降低
VRAMP保持通设备在饱和区，即使在低电池电压条件下。
40
35
30
25
20
的Pout （ dBm的）
15
10
5
0
-5
-10
-15
0
2
4
6
8
10
时间（美国）
12
14
16
18
20
VBATT = 3.0V
Antisat上
VBATT = 3.5V
Antisat上
时间面膜
VBATT = 3.0V
蚂蚁ISAT关闭
图6.抗饱和检测
7.3
推荐的电源控制校准程序
功率控制进行校正在两个点上。该程序首先要求的测量
输出功率（宝）校准点在Vramp而使两个值（ Vramp而使（1）和Vramp而使（2）） 。
图5
节目
这些点，转化率（ *）之后，标绘在对控制电压的均方根射频输出电压（ VRF）
（ Vramp而使）的特性。利用这些点上， Vramp而使电压（ Vramp而使（C） ）可以被估计为任何所希望的
输出功率电平。为了满足发送功率电平与GSM05.05的时间要求
说明书中，以最低的功率电平的同时，还需要确定Vramp而使基座电压（见
图4
和
图5）
要达到一个可接受的功率电平要求时，控制器部分反馈
循环后的唤醒已经稳定。
需要提醒的是：
VRF
=
10
(
Po
–
13
)
20
等式。 1
其中， Po为以dBm为50个
和VRF是Vrms的。
MMM6035超前信息，牧师2.4
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飞思卡尔半导体公司
