MMFTN138
特性（T
j
= 25°C)
漏源击穿电压 - 漏 - 源Durchbruchspannung
I
D
= 250 A
漏极 - 源极漏电流 - 漏 - 源Leckstrom
V
DS
= 50 V
V
DS
= 30 V
门源漏电流 - 门源 - Leckstrom
V
GS
= ± 20 V
栅源阈值电压 - 门源Schwellspannung
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 220毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 220毫安
正向跨导 - bertragungssteilheit
V
DS
= 10 V，I
D
= 220毫安
输入电容 - Eingangskapazitt
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
输出电容 - Ausgangskapazitt
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
反向传输电容 - Rückwirkungskapazitt
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
导通延迟时间 - Einschaltverzgerung
V
DD
= 30 V，I
D
= 290毫安， V
GS
= 10 V ，R
G
= 50 Ω
导通上升时间 - Anstiegszeit
V
DD
= 30 V，I
D
= 290毫安， V
GS
= 10 V ，R
G
= 50 Ω
关断延迟时间 - Ausschaltverzgerung
V
DD
= 30 V，I
D
= 290毫安， V
GS
= 10 V ，R
G
= 50 Ω
关断下降时间 - Abfallzeit
V
DD
= 30 V，I
D
= 290毫安， V
GS
= 10 V ，R
G
= 50 Ω
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
t
f
R
THA
< 350 K / W
22纳秒
t
D（关闭）
16纳秒
t
r
12纳秒
t
D（上）
8纳秒
C
RSS
10 pF的
C
OSS
25 pF的
C
国际空间站
60 pF的
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
0.12 S
0.8 V
1.6 V
3.5 Ω
6Ω
漏极 - 源极导通电阻 - 漏源Einschaltwiderstand
I
GSS
= 100 nA的
I
DSS
500 nA的
100 nA的
V
（ BR ） DSS
50 V
Kennwerte （T
j
= 25°C)
分钟。
典型值。
马克斯。
漏源二极管
最大额定值和特性（T
j
= 25°C)
最大连续型电流源
最大脉冲电流源
漏源二极管的正向电压
I
S
= 440毫安
V
GD
1.4 V
I
S
I
SM
Grenz- UND Kennwerte （T
j
= 25°C)
分钟。
典型值。
马克斯。
220毫安
880毫安
2
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
