公司Bauelemente
塑料封装
多芯片（ PNP + PNP ）晶体管
符合RoHS产品
SOT-363
.055(1.40)
.047(1.20)
8
o
0
o
MMDT5401
特点
*外延平面模具结构
*互补NPN类型可用（ MMDT5551 ）
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.096(2.45)
.085(2.15)
.053(1.35)
.045(1.15)
C
2
B
1
E
1
.018(0.46)
.010(0.26)
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
E
2
B
2
C
1
.043(1.10)
.035(0.90)
标记： K4M
尺寸以英寸（毫米）
绝对最大额定值
(Tamb=25
o
C
除非其他明智的指定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散
工作结存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
TJ ， TSTG
评级
-160
-150
-5
-0.2
0.2
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
o
C
电气特性（环境温度Tamb = 25
o
C
除非其他明智的指定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
C
ob
NF
TEST
条件
民
-160
-150
-5
-0.05
-0.05
50
60
50
-0.2
-0.5
-1
-1
100
300
6
8.0
V
V
V
V
兆赫
pF
240
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -120 V，I
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
V
CE
= -5 V，I
C
= -1mA
V
CE
= -5 V，I
C
= -10mA
V
CE
= -5 V，I
C
= -50mA
I
C
= -10毫安，我
B
=-1mA
I
C
= -50毫安，我
B
=-5mA
I
C
= -10毫安，我
B
=-1mA
I
C
= -50毫安，我
B
=-5mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -200A,
R
S
= 10
Ω
中，f = 1.0kHz
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
噪声系数
http://www.SeCoSGmbH.com
dB
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006 Rev.B的
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