MMBT5550LT1G,
MMBT5551LT1G
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
符号
V
首席执行官
价值
140
160
160
180
6.0
600
> 8000
＆ GT ; 400
单位
VDC
集热器
： BASE
电压
V
CBO
VDC
1
2
3
记号
图
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
人体模型
机器型号
V
EBO
I
C
ESD
VDC
MADC
V
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
X1X M
G
G
1
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板（注2 ） @T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
P
D
X1X =器件代码
M1F = MMBT5550LT
G1 = MMBT5551LT
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
R
qJA
T
J
, T
英镑
订购信息
设备
MMBT5550LT1G
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT3G
包
航运
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT- 23万/磁带&卷轴
（无铅）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年9月
9牧师
1
出版订单号：
MMBT5550LT1/D
