电气特性
特征
开关特性（注5 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注5 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
6.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 100μA ，V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
-4
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
kΩ
x 10
μS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0VDC ，我
C
= 100μAdc ，
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0MHz的
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安，
V
BE （OFF）的
= - 0.5V ，我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ，我
C
= 10毫安
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
250
15
C
IBO
，输入电容（ pF）的
C
敖包
，输出电容（ pF）的
0
100
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，功率降额曲线
200
P
d
，功耗（毫瓦）
200
10
150
100
5
50
0
0
0.1
1
10
100
V
CB
，集电极 - 基极电压（ V）
图。 2 ，输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
DS30270牧师8 - 2
2 4
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