MM3Z2V0~MM3Z75
硅平面齐纳二极管
特点
总功耗：最大。 300毫瓦
适用于小塑料包
表面贴装设计
公差约为±5 ％
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 323和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
英镑
价值
300
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
θJA
V
F
马克斯。
417
0.9
单位
O
C / W
V
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
