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外围工作要求和行为
表15.振荡器直流电气规范(续)
符号
I
DDosc
描述
电源电流 - 高增益模式( HGO = 1 )
= 32千赫
= 4兆赫
8兆赫( RANGE = 01 )
= 16 MHz的
= 24 MHz的
= 32 MHz的
C
x
C
y
R
F
EXTAL负载电容
XTAL负载电容
反馈电阻器 - 低频,低功耗
模式( HGO = 0)的
反馈电阻 - 低频率,高增益
模式( HGO = 1)
反馈电阻器 - 高频,低功耗
模式( HGO = 0)的
反馈电阻器 - 高频率,高增益
模式( HGO = 1)
R
S
串联电阻 - 低频率,低功耗
模式( HGO = 0)的
串联电阻 - 低频率,高增益模式
(HGO=1)
串联电阻器 - 高频,低功耗
模式( HGO = 0)的
串联电阻 - 高频率,高增益
模式( HGO = 1)
V
pp5
峰 - 峰幅度的振荡(振荡器
模式) - 低频,低功率模式
(HGO=0)
峰 - 峰幅度的振荡(振荡器
模式) - 低频率,高增益模式
(HGO=1)
峰 - 峰幅度的振荡(振荡器
模式) - 高频率,低功率模式
(HGO=0)
峰 - 峰幅度的振荡(振荡器
模式) - 高频率,高增益模式
(HGO=1)
1.
2.
3.
4.
0
0.6
V
25
400
500
2.5
3
4
10
1
200
μA
μA
μA
mA
mA
mA
2, 3
2, 3
2, 4
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
笔记
1
V
DD
V
0.6
V
V
DD
V
V
DD
= 3.3 V ,温度= 25°C
见晶体或谐振器制造商的建议
C
x
,C
y
可以通过使用该整合电容器或通过使用外部元件来提供。
当低功率模式被选择,R
F
是集成的,并且不能从外部连接。
K60次系列数据表数据表,第3版, 2/2012 。
飞思卡尔半导体公司
初步
31

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