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外围工作要求和行为
6.4.1.1
闪存时序规范 - 编程和擦除
以下规格代表了时间的内部电荷泵量
积极，不包括命令开销。
表20. NVM编程/擦除时序规范
符号
t
hvpgm4
t
hversscr
描述
长字的程序高电压时
扇区擦除高电压时
分钟。
—
—
—
典型值。
7.5
13
104
马克斯。
18
113
904
单位
μs
ms
ms
1
1
笔记
t
hversblk256k
擦除块的高电压时间256 KB
基于在循环结束的寿命期望值1.最长时间。
6.4.1.2
符号
t
rd1blk256k
t
rd1sec2k
t
pgmchk
t
rdrsrc
t
pgm4
t
ersblk256k
t
ersscr
t
pgmsec512
t
pgmsec1k
t
pgmsec2k
t
rd1all
t
rdonce
t
pgmonce
t
ersall
t
vfykey
t
swapx01
t
swapx02
t
swapx04
t
swapx08
闪存定时规范 - 命令
描述
阅读1S块的执行时间
256 KB的程序/数据闪存
1秒读条的执行时间（闪存部门）
检查程序的执行时间
阅读资源的执行时间
节目长字的执行时间
擦除闪存块的执行时间
256 KB的程序/数据闪存
擦除闪存部门的执行时间
程序段的执行时间
512 B闪光
1 KB的Flash
2 KB的Flash
阅读1全块的执行时间
读取一次执行时间
程序一旦执行时间
擦除整个块的执行时间
验证后门访问键执行时间
交换控制的执行时间
控制代码为0x01
控制码为0x02
控制代码0×04
控制代码0×08
—
—
—
—
表继续下页...
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
分钟。
表21. flash命令定时规范
典型值。
马克斯。
1.7
60
45
30
145
单位
ms
μs
μs
μs
μs
2
122
14
985
114
ms
ms
2
1
1
1
笔记
65
2.4
4.7
9.3
—
—
65
250
—
—
—
—
1.8
25
—
2000
30
ms
ms
ms
ms
μs
μs
ms
μs
2
1
1
200
70
70
—
—
150
150
30
μs
μs
μs
μs
K40次系列数据手册，第1 ， 6/2012 。
飞思卡尔半导体公司
初步
一般商业信息
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