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一般
3.所有模拟引脚在内部钳位到V
SS
和V
DD
通过ESD保护二极管。如果V
IN
大于V
AIO_MIN
(=V
SS
-0.3V ）和V
IN
小于V
AIO_MAX
(=V
DD
+ 0.3V ）被观察到的，那么就没有必要提供电流限制
电阻在焊盘上。如果无法观察到这些限制，则限流电阻器是必需的。负的直流
注入电流限制电阻被计算为R = （Ⅴ
AIO_MIN
-V
IN
)/|I
IC
| 。正注入电流限制电阻是
calcualted为R = （Ⅴ
IN
-V
AIO_MAX
)/|I
IC
| 。选择这两个计算电阻的增大。
5.2.2 LVD和POR操作要求
表2. V
DD
供应LVD和POR操作要求
符号
V
POR
V
LVDH
描述
落VDD上电复位电压检测
落低电压检测阈值 - 高
范围（ LVDV = 01 ）
低电压警告阈值 - 高范围
V
LVW1H
V
LVW2H
V
LVW3H
V
LVW4H
V
HYSH
V
LVDL
1级下降（ LVWV = 00 ）
2级下降（ LVWV = 01 ）
3级下降（ LVWV = 10 ）
4级下降（ LVWV = 11 ）
低电压抑制复位/恢复滞后 -
高量程
落低电压检测阈值 - 低范围
(LVDV=00)
低电压警告阈值 - 低范围
V
LVW1L
V
LVW2L
V
LVW3L
V
LVW4L
V
HYSL
V
BG
t
LPO
1级下降（ LVWV = 00 ）
2级下降（ LVWV = 01 ）
3级下降（ LVWV = 10 ）
4级下降（ LVWV = 11 ）
低电压抑制复位/恢复滞后 -
低量程
带隙基准电压源
内部低功耗振荡器周期 - 工厂
修剪
1.74
1.84
1.94
2.04
—
0.97
900
1.80
1.90
2.00
2.10
±60
1.00
1000
1.86
1.96
2.06
2.16
—
1.03
1100
V
V
V
V
mV
V
μs
2.62
2.72
2.82
2.92
—
1.54
2.70
2.80
2.90
3.00
±80
1.60
2.78
2.88
2.98
3.08
—
1.66
V
V
V
V
mV
V
1
分钟。
0.8
2.48
典型值。
1.1
2.56
马克斯。
1.5
2.64
单位
V
V
1
笔记
1.瑞星阈值下降阈值+滞后电压
表3. VBAT电源运行要求
符号
描述
分钟。
0.8
典型值。
1.1
马克斯。
1.5
单位
V
笔记
V
POR_VBAT
落VBAT电源POR检测电压
K20次系列数据手册，第2版， 4/2012 。
12
飞思卡尔半导体公司
