技术参数
IW4015B
双路4级静态移位寄存器
高压硅栅CMOS
该IW4015B由两个相同的，独立的， 4级
串行输入/并行输出寄存器。每个寄存器都有独立的
时钟和复位输入以及一个串行数据输入。 “Q”
输出可从每两个寄存器中的四个阶段。所有
注册阶段是D型，主从触发器。的逻辑电平
存在于数据输入端被传输至第一寄存器级和
移过一个阶段，在每个正向时钟过渡。重置
所有阶段的由高电平的复位线来实现的。注册
扩展到使用一个IW4015B包8的阶段，或以多于8
使用阶段附加IW4015B的是可能的。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4015BN塑料
IW4015BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
时钟
数据
L
H
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
X
X
X
RESET
L
L
L
H
输出
Q1
L
H
L
Q
n
Q
n-1
Q
n-1
L
没有变化
X =无关
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