INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
描述
·集电极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
=-80 V
ΔDC
目前Gain
: h
FE
= 750 （最小值） @我
C
=-2A
.Complement
到类型MJE803T
MJE703T
应用
·设计
为通用放大器和低速
切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
-80
-80
-5
-4
-0.1
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
i
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
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