直流分量CO 。 ， LTD 。
R
MJE3055T
分立半导体
作者： NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为通用放大器和开关
应用程序。
TO-220AB
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
.405(10.28)
.380(9.66)
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散（T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
o
C)
等级
70
60
5
10
6
75
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
.625(15.87)
.570(14.48)
1 2 3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
.350(8.90)
.330(8.38)
.640
典型值
(16.25)
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸（毫米）
C
电气特性
o
特征
（在25℃环境温度额定值除非另有说明）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CEX
I
首席执行官
I
EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE（上）
h
FE1
h
FE2
f
T
380μs ，占空比
2%
民
70
60
5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
1
1
0.7
5
1.1
8
1.8
100
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
V
V
V
-
-
测试条件
I
C
= 10毫安，我
E
=0
I
C
=的200mA，我
B
=0
I
E
= 10毫安，我
C
=0
V
CB
= 70V ，我
E
=0
V
CE
=70V, V
EB （O FF ）
=1.5V
V
CE
= 30V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=400mA
I
C
= 10A ，我
B
=3.3A
I
C
= 4A ，V
CE
=4V
I
C
= 4A ，V
CE
=4V
I
C
= 10A ，V
CE
=4V
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极电压上
直流电流增益
(1)
跃迁频率
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
(1)
兆赫我
C
= 500毫安，V
CE
= 10V ， F =为0.5MHz
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