SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
收藏家outoput电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.4A
I
C
= 5A ;我
B
=1.0A
T
C
=100
I
C
= 8A ，我
B
=2.0A
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
I
C
= 5A ;我
B
=1.0A
T
C
=100
V
CB
= 700V ;我
E
=0
T
C
=125
V
EB
9V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
I
E
= 0; F =为0.1MHz ; V
CB
=10V
8
5
4
民
400
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
V
CE(sat-3)
V
BE(sat-1)
V
BE(sat-2)
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
MJE13007
典型值。
最大
单位
V
1.0
2.0
3.0
3.0
1.2
1.6
1.5
0.1
1.0
0.1
40
30
V
V
V
V
V
mA
mA
兆赫
80
pF
开关时间阻性负载
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 125V ，我
C
=5A
I
B1
=-I
B2
=1.0A
t
p
=25s
值班cycleC1 ％
0.1
1.5
3.0
0.7
s
s
s
s
2
