INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
收藏家outoput电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0.
I
C
= 1A ;我
B
=0.5A
T
C
=100℃
I
C
= 2A ，我
B
=1A
I
C
= 1A ;我
B
=0.5A
T
C
=100℃
I
C
= 2A ，我
B
=1A
V
CEV
= RatedV
ALUE
;V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
9V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1.0MHz
2.5
3
80
民
900
MJE1320
典型值。
最大
单位
V
0.18
0.3
0.3
0.2
0.15
0.9
1.0
1.5
2.5
1.5
1.5
2.8
0.25
2.5
0.25
V
V
V
V
mA
mA
pF
开关时间阻性负载，职务Cycle≤2 ％ ，T
p
=25μs
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
V
CC
= 250V ;我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=0.5A
贮存时间
下降时间
4.0
0.8
0.1
0.8
μs
μs
μs
μs
2
