半导体
技术参数
开关稳压器应用。
高压开关应用。
高速DC-DC转换器应用。
特点
优秀
开关时间
: t
on
=1.6μ
S（最大） ，T
f
=0.7μ
S（最大） ，在我
C
=5A
高
集电极电压： V
CBO
=700V.
MJE13007
三重扩散型NPN晶体管
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC
集电极电流
脉冲
基极电流
集电极耗散功率
(Tc=25℃)
结温
存储温度范围
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
16
4
80
150
-55½150
A
W
℃
℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
700
400
9
8
A
单位
V
V
V
电气特性（Ta = 25℃）
特征
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE
(2)
V
CE
= 5V ，我
C
=5A
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 5A ，我
B
=1A
I
C
= 8A ，我
B
=2A
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
基射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
BE （ SAT ）
I
C
= 5A ，我
B
=1A
C
ob
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
B1
I
B2
I
B1
=I
B2
=1A
占空比< 2 ％
=
I
B2
符号
I
EBO
h
FE
（1）（注）
测试条件
V
EB
= 9V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=2A
分钟。
-
15
10
-
-
-
-
-
-
4
产量
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
110
-
-
-
-
马克斯。
1
39
-
1
2
3
1.5
单位
mA
V
V
1.6
-
-
1.6
3
0.7
pF
兆赫
μ
S
μ
S
μ
S
V
CB
= 10V ， F =为0.1MHz ，我
E
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=0.5A
300S
25
输入
I
B1
-
-
-
V
CC
=125V
注：H
FE
Classification R:15½27, O:23½39
2008. 3. 26
版本号： 1
1/2
