INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BE
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
V
CE
= 140V ;我
B
=0
V
CE
=140V; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
V
CE
= 50V直流， T = 1秒，非重复性
I
S / B
第二击穿集电极电流
与基地正向偏置
V
CE
= 100V直流， T = 1秒，非重复性
C
OB
f
T
输出电容
跃迁频率
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1.0MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=0.5MHz
2
1
25
5
民
140
MJ15003
典型值。
最大
单位
V
1.0
2.0
0.25
0.1
2.0
0.1
150
V
V
mA
mA
mA
A
1000
pF
兆赫
2
