INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
MJ11011
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -0.1A ;我
B
= 0
-60
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -20A ;我
B
= -0.2A
-3.0
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -30A ;我
B
= -0.3A
-4.0
V
V
BE
(sat)-1
基射极饱和电压
I
C
= -20A ;我
B
= -0.2A
-3.5
V
V
BE
(sat)-2
基射极饱和电压
I
C
= -30A ;我
B
= -0.3A
V
CE
= -60V ;
BE
=1kΩ
V
CE
= -60V ;
BE
= 1kΩ的;牛逼
C
=150℃
V
CE
= -50V ;我
B
= 0
-5.0
-1.0
-5.0
-1.0
V
I
CER
收藏家Cuto FF电流
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-5.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -20A ，V
CE
= -5V
1000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -30A ，V
CE
= -5V
200
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