麦克雷尔INC 。
MIC841/2
应用信息
产量
该MIC841N和MIC842N输出为开漏
的MOSFET ，因此，大多数应用需要一个上拉
电阻器。电阻器的值不应该过大
或泄漏影响可能占据主导地位。 470KΩ是
建议最大值。需要注意的是输出
“N”版本可上拉高达6V不管
各IC供电电压。为“H”和“L”的版本的
MIC841和MIC842有一个推挽输出级，以
钳位到V二极管
DD
。因此，最大输出
的“H”和“L”的版本，电压为V
DD
。参见“电气
特色“。
当用大电阻器对输入到工作
设备，少量的泄漏电流可引起
电压偏移的降低系统的准确性。该
从V最大推荐总电阻
IN
to
地面3MΩ 。电阻器的精度可
所拣选的根据由所要求的精度
系统。该输入可以进行电压高达
为6V稳定状态，没有任何形式的不利影响
不论该集成电路的电源电压。这适用于即使
所述电源电压为零。这允许在该情况
该集成电路的电源被关断，但电压仍
存在于输入端。请参见“电气特性”。
图1. MIC841范例电路
一旦所需的跳变点确定，设置
V
IN（ HI ）
第一门槛。
例如，使用一个总1MΩ = R1 + R2 + R3中。对于
典型的单节锂离子电池， 3.6V是一个很好的“高
门槛“ ，因为在3.6V的电池是适度
收取。求解R3 ：
1M
Ω
V
IN（ HI ）
3.6 V
1.24
R3
R3 = 344kΩ
编程MIC841阈值
低电压阈值的计算公式：
R1
+
R2
+
R3
V
IN （LO）
V
REF
R 2
+
R3
一旦R 3被确定，公式为V
IN （LO）
可以
用于确定R2。单节锂离子电池，为
例如，不应该被释放低于2.5V 。许多
应用限制其漏极连接到3.1V 。使用3.1V的
V
IN （LO）
阈值允许两个计算剩余
电阻值。
1M
Ω
V
IN （LO）
3.1V
1.24
R2
+
344k
高电压阈值的计算公式：
R1
+
R2
+
R3
V
IN（ HI ）
V
REF
R3
R2 = 56kΩ
1MΩ - （ R2 - R3 ） = R1
R1 = 600kΩ
电阻器的精度可基于被选择
系统所要求的精度。
其中，对于两个方程：
为了提供解决所需的附加的准则
对电阻值，电阻器可以被选择
使得它们具有一个给定的总价值，即R1 + R2
+ R3 = R
总
。值，如1MΩ的R
总
是
合理的价值，因为它吸引的最小电流，但
对精确度没有显著的效果。
2011年3月
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M9999-030811-B
