MIC5252
麦克雷尔INC 。
空载稳定性
该MIC5252将保持稳定和调控没有
负载不像其他许多稳压器。这是特别
重要的CMOS RAM保持应用程序。
散热注意事项
该MIC5252的目的是提供连续150毫安
电流在一个非常小的封装。最大功率耗散
可以基于所述输出电流和电压计算
在零件掉落。来确定最大功率显示
包sipation ，使用结到环境的热
该装置与下面的基本公式的阻力：
T（最大）
T
A
P
D
（最大）
=
J
θ
JA
T
J
（max）是模具的最大结温，
125 ℃，而T
A
是环境工作温度。
θ
JA
is
布局依赖性;表1示出结点到的实例
为MIC5252环境的热阻。
包
SOT-23-5
（ M5或D5 ）
θ
JA
推荐
最小的足迹
235°C/W
θ
JA
1 “方
铜包
185°C/W
θ
JC
145°C/W
应用信息
开启/关闭
该MIC5252带有一个高电平有效使能引脚， AL-
低点稳压器被禁用。强制的使能引脚为低电平
禁用调节器，并将其发送到一个“零”关闭模式下，电流
租状态。在这种状态下，电流消耗的调节器
变为几乎为零。强制的使能引脚允许高
输出电压。这部分是CMOS的使能引脚
不能留浮动;一个浮动的使能引脚可能会导致
不确定状态的输出。
输入电容
该MIC5252是一种高性能，高带宽设备。
因此，它需要一个良好的旁路输入电源以优化
发作表现。 1μF电容从输入所需
接地，以提供稳定性。低ESR陶瓷电容器
在最小的空间内提供最佳的性能。额外
tional高频电容器，例如小值NPO
介电型电容器，帮助滤波器滤除高频噪声
并在任何基于RF电路很好的做法。
输出电容
该MIC5252需要一个输出电容即可稳定工作。该
设计需要1μF或更大的输出来维持stabil-
性。该设计使用低ESR的陶瓷芯片进行了优化
电容器。高ESR电容会引起高频
振荡。推荐ESR最大为300MΩ 。
输出电容可以增加，但性能有
经过优化的一个1μF陶瓷输出电容，并做
没有较大的电容提高显着。
X7R / X5R电介质型陶瓷电容recom-
由于其温度性能修补。 X7R型
电容器15％的电容改变对他们的工作
温度范围，而且是最稳定型的陶瓷的
电容器。 Z5U和Y5V介质电容器的值更改
高达50 ％和60％ ，分别比其operat-
荷兰国际集团的温度范围。要使用的陶瓷芯片电容器与
Y5V电介质，该值必须比为X7R高得多
陶瓷电容器，以保证在相同的最小电容
在同等工作温度范围。
旁路电容
电容器从噪声旁路引脚必须接地
以降低输出电压噪声。该旁路电容
内部参考。一个0.01μF的电容建议
适用于要求低噪声输出的应用。旁路
电容可以增加，从而进一步降低噪音和im-
证明PSRR 。开启时间略有增加就
绕过电容。独特的快速启动电路允许
该MIC5252来驱动一个大电容上的旁通销
无显着放缓的开启时间。请参阅“典型
特性“一节有不同的表现
旁路电容。
ACTIVE SHUTDOWN
该MIC5252还具有主动关闭钳，其中
是N沟道MOSFET，导通时，该设备是
禁用。这使得输出电容和负载以显示
充，断电的负荷。
表1. SOT- 23-5热阻
调节器电路的实际功耗可
使用下式确定：
代P
D
（最大值）用于P
D
并求解操作
这是至关重要的应用条件将得到
最大运行条件为稳压电路。为
例如，使用操作MIC5252-2.8BM5在50℃时
最小足迹布局，最大输入电压为一
设定输出电流可以如下确定：
125
°
C
50
°
C
P
D
（最大）
=
235
°
C / W
对于最小的结点至环境热阻
占地面积为235 ° C / W ，从表1的最大功率显示
sipation不得超过正常工作。运用
2.8V的输出电压和150mA电流的输出电流，
最大输入电压可被确定。因为这
设备是CMOS和接地电流通常超过100μA
的负载范围，功率耗散贡献的地面
电流为<的1％ ，可以忽略该计算。
315MW = V
IN
×
150毫安 - 420MW
315MW = （V
IN
- 2.8V ） 150毫安
P
D
（最大值） = 315MW
P
D
= (V
IN
– V
OUT
) I
OUT
+ V
IN
I
GND
因此，在输出电流150毫安一个2.8V的应用
可以接受4.9V的最大输入电压采用SOT- 23-5
封装。对于散热和热的充分讨论
上电压调节器的影响，请参见“稳压1-93
麦克雷尔公司设计的马尔斯“与低压差电压部分
监管手册。
V
IN
（最大值） = 4.9V
735mW = V
IN
×
150mA
M9999-020305
8
2005年2月
