MIC5190
这地方的极点2.3千赫的80分贝并计算为
如下。
1
2
π
×
3
.
42M
×
20pF
F
P
=
2
.
32kHz
F
P
=
100
225
100
主极点
80
225
麦克雷尔
Fp
=
1
2
×
3 .42
M
×
CCOMP
外部零
180
60
增益（dB ）
135
40
Fz
=
1
2
×
RCOMP
×
CCOMP
R
负载
×
C
OUT
极
90
20
45
80
180
0
0
60
增益（dB ）
135
相位（度）
-20
0.01
0.1
1
10
100
1000
频率（kHz ）
-45
10000 100000
40
90
20
45
0
0
图6.外部补偿
频率响应
因此建议，增益带宽应被去
签署为小于1兆赫。这是因为大多数电容
器输电容在高频，成为电阻
略去或电感。这可能是困难的，以补偿和
可以创建高频振荡，或者更糟，振荡。
通过增加输出电容的量，短暂
反应可以以多种方式加以改进。首先，速率
电压降随时间变化减小。另外，通过增加
输出电容器，通过所述负载与所述输出形成的极
在高频电容减小。这允许increas-
荷兰国际集团的补偿电阻，创造更高的中频
获得。
100
225
80
180
-20
0.01
0.1
1
10
100
1000
频率（kHz ）
-45
10000 100000
图4.内部补偿
频率响应
有单极滚降。对于大多数应用来说，一个输出
电容是必需的。输出电容和负载电阻
tance创建另一个极点。这将导致一个2极系统
并有可能导致不稳定的设计与不足
相位裕度。外部补偿是必需的。通过provid-
荷兰国际集团的主导极点和零点，使输出电容器
并加载，以提供最终极的净单极滚降IS
创建的，与零抵消的主极点。图5
演示将一个外部电容（C
COMP
）和
电阻器（R
COMP
）为所述外部零极点组合。
其中的主极点可以计算如下：
国内
误差放大器器
3.42M
20pF
司机
60
40
90
20
45
0
0
-20
0.01
0.1
1
10
100
1000
频率（kHz ）
-45
10000 100000
外
R
COMP
C
COMP
COMP
图7.增加输出电容
这将有两个减小电压降的影响
以及返回越走越快，以调节电压
在恢复时间。
MOSFET选择
为MIC5190的典型通元件是一个N沟道
MOSFET。选择时，有多重考虑
的MOSFET。这些包括：
V
IN
到V
OUT
迪FF erential
=输出电流
表壳尺寸/热特性
栅极电容（C
国际空间站
<10nF)
门源门限
图5.外部补偿
F
P
=
1
2
π
×
3
.
42M
×
C
COMP
和零，可以计算如下：
F
Z
=
1
2
π
×
R
COMP
×
C
COMP
这允许高的直流增益，并与高带宽
输出电容和负载提供最终极。
2005年12月
8
M9999-120105
相位（度）
增益（dB ）
：增加C
OUT
减少
在负载电阻与
输出电容器极
允许增加
在中频增益。
135
相位（度）
