麦克雷尔INC 。
消散在研发最大功率
CS
是;
式。 （17）
式。 （18）
P
R
CS
=
I
R
CS
_
RMS
2
×
R
CS
I
L
_
PP
2
I
R
CS
_
RMS
=最大
=
I
FET
_
RMS
=最大
=
D
I
IN
_
AVE
_最多2
+
12
MIC3230/1/2
输入电容
输入电流示于图5.对于优越
性能，应该使用，因为陶瓷电容器
其低的等效串联电阻（ESR） 。输入纹波
电流等于所述波纹在所述电感器加的脉动
电压的输入电容上，这是C的ESR
IN
倍电感纹波。输入电容也将
绕过所述EMI由转换器产生的，以及任何
通过输入线的电感而产生的电压尖峰。
对于需要V
IN_RIPPLE
:
式。 （21）
=
1.4
μ
F
8
×
V
IN
_
纹波
×
F
SW
8
×
50
mV
×
500
千赫
这是应该使用的最小值。输入
电容也应在额定的最大RMS输入
电流。为了保护IC免受感应电压尖峰或任何
过冲，输入电容的一个较大的值可以是
要求和建议陶瓷电容器是
使用。 4.7μF陶瓷在本设计实例的值
电容器被选中。
C
IN
=
=
I
IN
_
PP
0.26
2
=
1.44
A
_
RMS
I
R
CS
_
RMS
=
0.78
1.64
2
+
12
P
R
CS
=
1.25
2
×
.15
=
0.31
瓦
使用1/2瓦电阻的R
CS
.
输出电容
在此LED驱动器应用中， ILED纹波电流是
相比，输出的更重要的因素
纹波电压（虽然两者是直接相关） 。对
找到了C
OUT
对于需要ILED纹波使用以下
计算方法：
(
0.28
A
)
对于输出纹波
ILED
纹波
=
的20％
ILED
喃
ILED
纹波
=
0.2
×
0.35
=
70
mA
式。 （19）
ILED
喃
*
D
喃
*
T
C
OUT
=
ILED
纹波
* (
R
ADJ
+
R
LED
_
总
)
查找等效交流电阻
R
LED
_
ac
从
数据表中的LED 。这是逆坡
ILED与V
F
曲线，即：
式。 （20）
R
LED
_
ac
=
Δ
V
F
Δ
ILED
MOSFET选择
在本设计实例中， FET具有暂缓输出
电压最高30V的。它建议使用80％的
降额上的开关FET的价值，所以至少一个38V的
场效应管应选择。在这个设计实例，一个75V FET
已被选择。
开关FET功率损耗的总和
导通损耗和开关损耗：
式。 （ 22 ）
P
FET
=
P
FET
_
COND
+
P
FET
_
开关
在本实施例中，使用
R
LED交流_
= 0.1
每个LED 。
如果该LED是串联连接的，乘
R
LED交流_
= 0.1
通过LED的总数。在这
例如6个LED ，我们得到如下：
R
LED
_
总
=
6
×
0.1
Ω =
0.6
Ω
当FET导通FET的导通损耗是
上。 FET的导通功率损耗被发现
下面的等式：
式。 （23）
P
FET
_
COND
=
I
FET
_
RMS
2
×
R
DSON
，其中，
ILED
喃
*
D
喃
*
T
C
OUT
=
=
4.1
uF
ILED
纹波
* (
R
ADJ
+
R
LED
_
总
)
使用下一个最高标准的价值，这是4.7μF 。
有输出纹波和之间是一个折衷
在PWMD脉冲的上升沿。这是因为
PWM调光脉冲，转换站之间
脉冲和C
OUT
将开始放电。该量
C
OUT
会放电取决于PWM之间的时间
调光加号。在下一PWMD脉冲C
OUT
有
被充电到满输出电压V
OUT
前
所需的LED电流流过。
I
FET
_
RMS
2
I
L
_
PP
2
=
D
I
IN
_
AVE
+
12
在开关转换出现的开关损耗
的场效应晶体管。在过渡时期，叔
过渡
，是时候
场效应管的关闭和打开。有两个过渡时间
每个时期，T不T（周期）混淆是非常重要的
与过渡时间t
过渡
.
式。 （ 24 ）
式。 （ 25 ）
P
FET
_
开关
=最大
=
I
FET
_
AVE
=最大
×
V
OUT
=最大
×
t
过渡
=最大
×
F
SW
T
=
1
FSW
找到
t
过渡
=最大
:
2011年3月
15
M9999-030311-D
