MIC2588/MIC2594
麦克雷尔
在C3上的最大电压的接通必须小于
V
门槛
的M1 。
1.对于一个标准的10V增强N沟道
MOSFET ，V
门槛
大约是4.25V 。
功能说明
热插拔插入
当电路板插入运载系统直播
电源电压（ “热插拔” ） ，高浪涌电流常
结果由于大电容驻留充电
整个电路板的电源引脚。这些电流尖峰
可能会导致系统的电源电压暂时去
出调控，从而导致数据丢失或系统锁定。在
更极端的情况下，该瞬变过程中热发生
交换事件可能造成连接器或永久损坏
板载组件。
该MIC2588和MIC2594的目的是解决这些
通过限制瞬时或浪涌电流的幅度的问题
在热插拔事件租房。这是通过控制实现
在该功率被施加到电路板的速率（ di / dt的
和dv / dt的管理）。此外，该MIC2588和
MIC2594集成输入电压监控功能和
电流限制，从而提供强大的保护为
所述系统和所述电路板。
启动周期
当输入电压施加到所述控制器的过间
电压和欠压门限（ MIC2588 ）或更大
比V
ON
（ MIC2594 ） ，一个启动周期来传递动力
到负载。此时，在控制器的GATE引脚AP-
帘布层的恒定充电电流（I
GATEON
）至栅极
外部MOSFET （ M1 ） 。
FDBK
创建一个密勒积分
出的MOSFET电路，这限制了摆率的的
电压在M1的漏极。漏极电压速率的变化
M1的（ dv / dt的）是：
dv
M1
漏
dt
I
门（ - ）
I
½
½
–
GATEON
C
FDBK
C
FDBK
2.选择2V的最大电压，以避免开启
在瞬变。
V
GS
（ M1 ） ×[ C3 + C
FDBK
+ C
GD
（M1） ] = V
IN
（最大值） = C的
FDBK
+ C
GD
(M1)
V
GS
IN
（最大）
（M1） × C3 =
V
– V
GS
（ M1 ）C
FDBK
+ C
GD
(M1)
V
IN
（MAX） = V
GS
(M1)
V
GS
(M1)
(2)
C3 = C
FDBK
+ C
GD
(M1) ×
例如，我们可以判断相应的电容值
考虑到需要维持一个热插拔控制器
浪涌电流为2A处最大一个220μF的电容负载
和一个输入电源电压高的V
IN
（最大值） = 75V 。一
所建议的MOSFET与MIC2588使用/
MIC2594是SUM110N10-09 ，一个100V
2
PAK装置
有一个典型的C
GD
的750pF 。
计算对C的值
FBDK
使用公式1 ，得到：
C
FDBK
½
220
F
45
A
½
4.95nF
2A
良好的工程实践表明，使用最差的
因为我的情况下的参数值
GATEON
从“ DC电气
特性“一节：
220
F
60
A
½
6.6nF
2A
其中最接近的标准5 ％值6.8nF 。代
6.8nF入公式2 ，从上述收益率：
C
FDBK
½
½
0.275
F
2V
对于C3 ，最接近的标准5 ％值为0.22μF 。
而对于R的值
FDBK
不是关键的，它应选择
以允许的最大的几毫安到溢流的
M1的导通期间，栅极 - 漏极电路。而网络最终值
对于R
FDBK
根据经验确定的，之间的初始值
R
FDBK
= 15kΩ的到27kΩ与最大的价值体系
V的
IN
（最大值） = 75V是适当的。
电阻R4 ，串联在MOSFET的栅极，最小化
用于从寄生高频振荡的电势
发生在M1 。而R4的精确值并不重要，
常用值R4范围从10Ω至33Ω 。
电源就绪（ PWRGD或/ PWRGD ）输出
对于MIC2588-1和MIC2594-1 ，电源就绪
输出信号（PWRGD ）将是高阻抗时
V
漏
低于V
PGth
，并且将下拉到V
漏
当V
漏
高于V
PGth
。对于MIC2588-2和
MIC2594-2 ， / PWRGD会拉下来的潜力
V
漏
引脚当V
漏
低于V
PGth
和将
高阻抗当V
漏
高于V
PGth
。因此，该
-1部分具有高有效PWRGD信号和-2件
有一个低电平有效/ PWRGD输出。无论是PWRGD或
/ PWRGD可以用作使能信号为一个或多个
11
2005年9月
C 3
½
6.8nF
750pF
其中，V
IN
（MAX） = V
DD
– V
EE
（最小值） 。
在那里我
门（+）
=栅极充电电流= I
GATEON
;
I
门（ - ）
–I
门（+）
由于极高transconduc-
功率MOSFET的tance值;和
dt
与以上的最大瞬时（或浪涌）电流
在热插拔或电充电的负载电容
涉及同一个公式的延伸：
I
侵入
½
C
负载
dv
M1
漏
dt
I
门（ - ）
½
C
FDBK
dv
M1
漏
75V – 2V
I
I
侵入
½
C
负载
–
GATEON
C
FDBK
| I
侵入
|
½
C
负载
C
FDBK
I
GATEON
(1)
C3和R的存在
FDBK
防止导通的
通过限制热插拔当前外部旁路装置
浪涌引起的从漏极AC耦合瞬态
到M1的即C栅极（
FDBK
+ C
GD
（M1 ））。适当的
值C3可以使用下面的公式为一个确定
电容分压器。
M9999-083005
