MIC2588/MIC2594
麦克雷尔
连接到MIC2588的漏极引脚/
MIC2594 ，将所得的瞬态确实有
足够的电压和能量来破坏这一点，或任何，
高电压热插拔控制器。
2.如果负载的旁路电容（例如
输入滤波器电容器的DC-DC转换器
模块（S ） ）是一个董事会，从董事会
与MIC2588 / MIC2594和MOSFET可以
插电，同一类型的感应瞬变
损害可发生于MIC2588 / MIC2594 。
对于许多应用中，使用附加的电路的康波
堂费可以达到最佳的系统性能来实现
和/或保护。的电路中，如图6所示，包括
几个组件，以解决以下一些系统
（动态）的反应和/或功能：1）抑制
瞬态电压尖峰， 2 ）消除虚假的“跳闸”的
断路器由于欠压和过流故障，
3）外部复位电路的实现。
这不是必须的，这些技术被利用，如何 -
以往，应用环境将决定是否适合。为
防止突然卡上负载突降在漏极
该MIC2588 / MIC2594控制器， 68V ，1W的销，5％齐纳
钳位二极管（ D2）连接从漏的VEE
该控制器可以被实现，如图所示。为了保护
从大规模瞬变控制器在卡输入
一个100V的钳位二极管（ D1 ， SMAT70A或同等学历）可
使用。在任一情况下，很短的导线长度和紧凑
布局设计，强烈建议，以防止不必要的
瞬变保护电路。电源母线电感
往往会产生局部（插卡）高电压瞬变
在关断事件。管理这些重复电压
有苏夫网络cient输入大电容和/或转录强调
过性抑制二极管钳位强烈推荐
最大限度地提高热交换控制器（ S）的生活。
-48V RTN
应用信息
可选的外部电路以增加保护/ Perfor-
曼斯
在许多通信应用中，它是对电路很常见
板遭遇大规模供电电压瞬变
在背板的环境。由于背板呈现
复阻抗的环境中，这些瞬态可
高达2.5倍的稳态水平，或在120V最坏
案件的情况。此外，一场突如其来的负载突降的任何地方
电路卡上能产生非常高的电压尖峰
在输出MOSFET的漏极，反过来，中将显
梨的MIC2588 / MIC2594的漏极引脚。在这两种
情况下，良好的工程实践，包括防护
措施，以避免损坏敏感的IC或热插拔
控制器从这些大型瞬变。两个典型
在这种大规模的瞬变发生的情况是否变形
下面划线：
1.无旁路输出电流负载突降（充电
桶或散装）电容V
EE
。例如，
如果L
负载
= 5μH ，V
IN
= 56V和T
关闭
= 0.7μS时，
得到的峰值短路电流之前
MOSFET关闭将达到：
56V
0.7
s
½
7.8A
5
H
如果没有其他路径此电流取
当MOSFET关断，将雪崩
MOSFET的漏极 - 源极结。自从
表示的总能量是相对小
现代功率MOSFET的坚固性，它不可能
这会损坏晶体管。然而，该
实际的雪崩电压是未知的;所有可
被保证的是，这将是大于
V
BD （D- S）
的场效应晶体管。该晶体管的漏极
-48V RTN
*R5
47k
R1
698k
1%
1
/ PWRGD
VDD
8
C5
47uF
C4
0.1uF
2
*D1
100V
C1
0.47F
R3
12.4k
1%
R2
11.8k
1%
OV
漏
7
MIC2588-2BM
3
UV
门
6
系统
RESET
4
*M2
C2
0.22uF
VEE
SENSE
5
*D2
68V
R
FDBK
10k
C
FDBK
10nF
100V
*R7
10k
*C6
0.47uF
*R6
2.7k
R4
10
C3
0.33uF
-48V
IN
R
SENSE
0.01
5%
*可选组件（请参阅应用程序的详细信息资料）
一个SOT- 363推荐用于M2 。
D2为68V ，1W齐纳二极管。
M1
SUM110N10-09
-48V
OUT
图6可选组件的更高的性能/保护
2005年9月
14
M9999-083005
