麦克雷尔INC 。
减少振铃的一种方法是用一个电阻
和电容器，以降低谐振电路的Q值。该
电路在图23中示出了在之间的电阻
开关节点与地之间。电容器Cs是用来阻止
DC和最小化在电阻上的功率损耗。
此电容值应介于5和10倍
的MOSFET的C中的寄生电容
OSS
. A
电容器太小将具有高阻抗，并且
防止阻尼振荡电阻。一
电容器太大，导致不必要的功率
耗散在电阻器，从而降低效率。
缓冲元件应尽可能靠近
可以将低侧MOSFET和/或外部
由于在肖特基二极管产生的大部分寄生的
电容。从FET放置缓冲太远或
采用蚀刻过长或薄将增加电感
缓冲并减小了其有效性。
一个适当的缓冲设计要求的寄生
电感和电容是已知的。的方法
确定这些值，并计算阻尼
电阻值如下所示。
1.测量振铃频率在开关节点
这是由寄生L确定
P
和C
P
。这个定义
频率为f
1
.
2.添加一个电容C
S
（通常至少为3倍那么大
了C
OSS
场效应管）从开关节点接地，并
衡量新振频率。定义这个新的
频率（低级）为f
2
. L
P
和C
P
现在可以解决
用f的值
1
, f
2
和C
S
.
3.添加一个电阻R
S
串联
C
S
生成的关键
阻尼。
步骤1：
首先测量振荡频率的
开关节点电压时高边MOSFET关
上。这个振铃，其特征在于由以下方程：
f
1
=
1
2
π
L
P
×
C
P
L
STRAY1
L
STRAY2
R
DS
L
STRAY3
MIC2155/2156
定义F'为：
f
f
'
=
1
f
2
结合方程对于f
1
, f
2
和f '派生
P
中，
寄生电容：
C
P
=
C
S
2
×
( f
'
)
2
1
L
P
通过重新排列方程对于f求解
1
:
L
P
=
1
(
2
π
)
2
×
C
P
×
(f
1
)
2
步骤3：
计算阻尼电阻。
临界阻尼发生在Q = 1：
1
R
S
L
P
=
1
C
S
Q
=
解决的R
S
R
S
=
L
P
C
S
图23示出了在电路和缓冲
阻尼开关节点波形。
其中：
C
P
和L
P
有寄生电容和
电感
步骤2：
添加一个电容C
S
在与平行
同步MOSFET ， Q2 。该电容值应
大约3倍了C
OSS
第二季度。测量
开关节点振铃中，f的频率
2
:
f
2
=
1
2
π
Lp
×
（ CS
+
CP ）
R
S
C
OSS2
L
STRAY4
C
S
图23.缓冲电路
2009年11月
27
M9999-111209-B
