麦克雷尔INC 。
在MOSFET的导通时间。如果在工作
4.5V
IN
，无需连接V
DD
到V
IN
中，栅极驱动器
电压高侧FET可低至3.2V 。
MOSFET的低V
GS
增强的门，应使用
在这种情况下。
要注意的一个MOSFET的导通电阻是很重要的
增加在高结温。 75°C的上升
结温度会增大流路阻力
MOSFET的由40 ％至75％的电阻的
在25℃下指定。这种电阻变化必须
占计算MOSFET功率时的
耗散。
总的栅极电荷，是把所需的电荷
MOSFET在规定的操作条件下打开和关闭
(V
DS
和V
GS
） 。栅极电荷被供给
MIC2155栅极驱动电路。栅极电荷可以是一个
功耗控制器中的显著源
由于高的开关频率和通常
这是驱动大功率MOSFET 。在低输出加载此
功耗是明显的如在还原
效率。所需的平均电流来驱动
MOSFET的是：
I
DD
=
Qg
×
fs
其中：
MIC2155/2156
消散在开关晶体管的功率是
的导通损耗过程中的导通时间之和
(P
传导
）和期间发生的开关损耗
的时间周期时， MOSFET的导通和截止
(P
AC
).
P
SW
=
P
传导
+
P
AC
其中：
P
传导
=
I
SWITCH （ RMS） 2
×
R
开关
P
AC
=
P
AC （关闭）
+
P
AC （上）
R
开关
是MOSFET开关的导通电阻。
使假设的导通和关断的过渡
倍相等，则总的AC开关损耗是：
P
AC
=
( V
IN
+
V
D
)
×
I
申银万国_ PEAK
×
T
t
×
f
S
其中：
T
t
为开关转换时间（典型地15ns的
要为30ns ）
f
S
它的各相的开关频率
RMS电流和MOSFET功率耗散
计算
在正常操作下，高边MOSFET的RMS
目前是最大的当V
IN
低（最大占空比
周期） 。低边MOSFET的RMS电流为最大
当V
IN
是高（最小占空比）。然而，该
MOSFET看到短路时的最大应力
的条件下，在输出电流等于
最大过流水平。下面的计算是
以进行正常操作。要计算在短应力
电路的条件下，替代的最大过流
因为我的水平
输出（最大）
.
高压侧开关的电流的RMS值是：
I
申银万国_ RMS （ HIGH _ SIDE ）
=
D（我
输出（最大）
2
QG是所有的高和低总栅极电荷
边MOSFET 。这些信息应该是
从制造商的数据手册中获得
一个5V V
GS
.
由于从栅极驱动器的电流来自于
输入电压，消散在适当的MIC2155电源
栅极驱动器：
P
栅极驱动器_
=
Qg
×
f
S
×
V
IN
功德的方便数字开关MOSFET的
导通电阻倍的总的栅极电荷（r
DSON
×
QG ） 。较低的数字转化为更高的效率。低
栅极电荷，逻辑电平MOSFET是一个不错的选择
与MIC2155使用。内部LDO供给
V
DD
额定75毫安。超过此值会
损坏稳压器或造成过大的权力
耗散在IC 。请参阅“电源电压和
本规范的内部稳压器“一节
附加信息。
这是很重要的MOSFET开关参数
选择如下：
额定电压
抗性
总栅极电荷
在V
DS
MOSFET的额定电压是基本上
等于输入电压。 20％的安全系数应
被加入到V-
DS （ MAX）
MOSFET的占
电压尖峰由于电路寄生效应。
I
PP 2
+
)
12
2
I
申银万国_ RMS （ LOW SIDE _ ）
=
(
1
D
)
(I
输出（最大）
I
PP 2
+
)
12
其中：
D为转换器的占空比
I
PP
是个人电感纹波电流
V
D
=
OUT
η ×
V
IN
和
η
是转换器的效率。
转换效率还取决于其他成分
尚未被选择的参数。设计
的目的， 85％ -90 ％的效率估计可以
使用。的效率，可以更准确地计算
一旦设计完成。如果假设效率是
严重不准确的，一个通过设计第二次迭代
程序应。
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M9999-052709-A
(408) 944-0800
2009年5月
