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< X / Ku波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFK35V4045
14.0 - 14.5 GHz频带/ 3.5W
描述
该MGFK35V4045是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于14.0 - 14.5
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
特点
内部匹配50 （欧姆）系统
倒装芯片安装
高输出功率
14.5GHz - 的P1dB = 3.5W @ F = 14.0 （ TYP 。 ）
高线性功率增益
GLP = 6.4分贝（ TYP 。 ） @ F = 14.0 - 14.5GHz
高功率附加效率
P.A.E. = 20 ％ （ TYP 。 ） @ F = 14.0 - 14.5GHz
14.0 - 14.5 GHz频段功率放大器
IG
应用
质量等级
推荐的偏置条件
VDS=10V
ID=1.2A
请参考偏置程序
(Ta=25C)
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT * 1
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏击穿电压
栅源击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
3500
-9
17
33.3
175
-65到+175
单位
V
V
mA
mA
mA
W
C
C
保持安全第一在你的电路设计！
三菱电机公司提出的最大
努力为半导体制造更好的产品
和更可靠的，但总是有
可能故障可能与它们发生。
麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得给
制作时充分考虑到您的安全
电路设计，配合适当的措施，如
作为替代，辅助电路（I）的位置，
（ⅱ）使用不易燃的材料或（iii）预防
对任何故障或事故。
* 1 ：TC = 25°C
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
PAE
RTH （ CH-C ） * 2
(Ta=25C)
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益压缩输出功率
测试条件
分钟。
VDS=3V,VGS=0V
VDS=3V,ID=1200mA
VDS=3V,ID=10mA
VDS = 10V ， ID（射频关闭） = 1200毫安
F = 14.0 - 14.5GHz
三角洲Vf的方法
2000
700
-2
34.5
5.5
-
-
范围
典型值。
2700
1000
-
35.4
6.4
20
-
单位
马克斯。
3500
-
-5
-
-
-
4.5
mA
mS
V
DBM
dB
%
° C / W
线性功率增益
功率附加效率
热阻
* 2：信道情况下的
出版日期： 2011年4月
1
