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工作寿命测试
[1]
对于
MGA- 83563已经确定
10一MTTF
6
小时见面会
通道温度
≤
150°C.
实现10
6
小时的平均无故障时间
目的，该电路向所述
装置被安装（即，壳体
温度） ，因此应
不超过150 ° - 46 ° C或104 ℃。
重复的可靠性calcula-
灰使用最坏状况的马克西
为200mA妈妈器件的电流，
直流功耗是
552毫瓦。总结了RF输入
和输出功率，P
DISS
is
397毫瓦这导致了
通道到外壳温升
的69 ℃。最大的情况下，
温度的平均无故障时间目标
10
6
小时，然后150 ° - 69 ° C，或
81°C.
对于其他MTTF目标，电力
耗散，或操作温度
Tures的，安捷伦出版可靠性
基于运行数据表
寿命测试，使设计人员
到达的散热设计
其特殊的工作环境
换货。对于可靠性数据表
覆盖MGA- 83563 ，请求
安捷伦出版号5964-
4128E ，名为“砷化镓MMIC扩增
费里可靠性数据。 “这了可靠性
性数据表涵盖了安捷伦
家庭的GaAs PHEMT射频集成电路中。
最大功率耗散
可靠的线性操作
在相同的方式计算出的
该工艺的饱和做
放大器的例子。对于线性
电路，在RF输入和输出
功率可以忽略不计，并假设
是零。所有的DC电源
因此，作为热量耗散。为
为了进行比较，以所述的
饱和模式的例子，这
计算将使用相同的
10 MTTF目标
6
小时
3伏的电源电压。
计算被再次
名义和最坏的情况下
条件。
从图10的数据，则
典型的3伏，小信号器件
当前的MGA- 83563在
高温下为156毫安。
该器件总功率耗散
化，P
DISS
，然后是3.0伏
*
156毫安，或468毫瓦。该温度
TURE增量从RFIC
通道的情况是0.468瓦特
*
175 ° C /瓦，或82 ℃。
相称的MTTF
10个目标
6
小时，该电路
该装置被安装
因此，不应超过
150 ° - 82 ° C或68 ℃。
对于最坏情况下的计算，一个
40％防护带被添加到
典型电流在到达
218 mA（最大值）的直流电流。
在P
DISS
是655毫瓦的
通道到外壳温升
是115℃。最大的情况下，
温度为最坏的情况
目前的情况是35 ℃。
68 ℃的外壳温度
正常操作，或35℃ ，在
最坏的情况下，是不能接受的低
于大多数应用。为了
使用MGA- 83562可靠的
线性应用中，P
DISS
必须
通过减少被降低
电源电压。
在RF输出的含义
为放大器的功率性能
以降低V操作
d
is
稍后在本申请所覆盖
注意在部分副标题为“使用
的MGA- 83563线性的
应用程序“ 。
设计实例
2.5 GHz的
一个2.5 GHz的放大器的设计
将用于说明本
使用该方法
MGA- 83563 。基本设计
前文所述的程序会
使用时，在其中间
电感器（ L 2 ）被选择的第一，
随后的一个设计
最初的小信号，输出匹配。
那么输出匹配将是
经验对于大优化
信号条件之后的
输入匹配将被添加。
在该印刷电路布局
图21是用来作为起始
的地方。该电路被设计用于
制作上0.031英寸厚
FR-4介电材料。
级间电感L2
第一步是选择一个值
用于级间电感，L2 。
参看图19 ，其值为
1.5 nH的对应于设计
频率为2.5 GHz的。一种芯片
电感器被选择为L 2在此
例子。然而，对于小
电感值，如这一点，
级间电感也可以
来实现具有高的长度
阻抗的传输线。
级间电感逐
通过与62 pF电容，
其中具有1的电抗
at
2.5 GHz的。连接电源
电压的旁路侧
电感完成
放大器级间部分。
线性放大器热
例子
如果到MGA - 83563是用在
线性应用，总功率
耗散是显著更高
比饱和模式。该
耗散功率是由于较大
更高的器件电流（不是
有效作为饱和模式）
并且还因为无信号功率
被除去。
