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V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQB
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安， V
G2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦的魅力。
f
兆赫
1995
2000
2005
2010
2015
2020
2025
2030
2035
Z
in
=
Z
in
W
60.12 - j33.28
59.30 - j32.57
58.41 - j32.06
57.41 - j31.31
56.31 - j30.27
55.94 - j29.62
55.28 - j28.90
54.75 - j28.12
54.39 - j27.55
Z
负载
W
11.79 - j6.72
11.78 - j6.78
11.78 - j6.85
11.78 - j6.92
11.79 - j7.00
11.81 - j7.08
11.81 - j7.16
11.84 - j7.24
11.80 - j7.33
注：测得峰值侧面打开。
通过测量设备的输入阻抗
栅极接地。
通过测量测试电路的阻抗
漏到地面。
Z
负载
=
设备
被测
产量
匹配
网
Z
in
Z
负载
图12.系列等效输入阻抗和负载阻抗 - 利方
V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQB
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安， V
G2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦的魅力。
f
兆赫
1995
2000
2005
2010
2015
2020
2025
2030
2035
Z
in
=
Z
in
W
60.12 - j33.28
59.30 - j32.57
58.41 - j32.06
57.41 - j31.31
56.31 - j30.27
55.94 - j29.62
55.28 - j28.90
54.75 - j28.12
54.39 - j27.55
Z
负载
W
1.86 - j11.38
1.80 - j11.24
1.71 - j11.12
1.64 - j11.00
1.58 - j10.91
1.51 - j10.78
1.45 - j10.66
1.38 - j10.56
1.33 - j10.40
注意：测量与运营商侧开。
通过测量设备的输入阻抗
栅极接地。
通过测量测试电路的阻抗
漏到地面。
Z
负载
=
设备
被测
产量
匹配
网
Z
in
Z
负载
图13.系列等效输入阻抗和负载阻抗 - 峰值端
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
9
