MCP73861/2/3/4
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
符号
民
典型值
最大
单位
s
mA
mA
mA
V
V
V
V
条件
预充电流调节（涓流充电恒流模式）
前提电流
规
I
PREG
5
60
25
阈值的前提条件
电压
V
PTH
2.70
2.75
5.40
5.50
充电终止
充电终止
当前
I
TERM
6
70
32
自动充值
再充电阈值
电压
V
RTH
V
REG
-
300毫伏
V
REG
-
600毫伏
热敏电阻参考
热敏电阻参考
输出电压
热敏电阻参考
源出电流
热敏电阻的参考线
规
热敏电阻参考负载
规
热敏电阻比较
高门槛之旅
上跳变点迟滞
较低的阈值之旅
低跳变点迟滞
输入偏置电流
灌电流
低输出电压
输入漏电流
使能输入
输入高电压电平
输入低电平
输入漏电流
V
IH
V
IL
I
LK
1.4
—
—
—
—
0.01
—
0.8
1
V
V
A
V
启用
= 12V
V
T1
V
T1HYS
V
T2
V
T2HYS
I
BIAS
I
SINK
V
OL
I
LK
1.18
—
0.59
—
—
4
—
—
1.25
-50
0.62
80
—
8
200
0.01
1.32
—
0.66
—
2
12
400
1
V
mV
V
mV
A
mA
mV
A
I
SINK
= 1毫安
I
SINK
= 0 mA时，V
STAT1,2
= 12V
V
THREF
2.475
2.55
2.625
V
T
A
= 25°C,
V
DD
= V
REG
（典型值） + 1V ，
I
THREF
= 0毫安
V
REG
-
200毫伏
V
REG
-
400毫伏
V
REG
100mV的
V
REG
-
200毫伏
V
V
MCP73861/3
MCP73862/4
V
BAT
HIGH到LOW
8.5
90
41
11
120
50
mA
mA
mA
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
10
120
50
2.80
2.85
5.60
5.70
15
180
75
2.90
2.95
5.80
5.90
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
MCP73861/3,
V
SET
= V
SS
MCP73861/3,
V
SET
= V
DD
MCP73862/4,
V
SET
= V
SS
MCP73862/4,
V
SET
= V
DD
V
BAT
低到高
I
THREF
ΔV
THREF
/
V
THREF
)|/
ΔV
DD
ΔV
THREF
/
V
THREF |
200
—
—
0.1
—
0.25
A
%/V V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1V]至
12V
%
I
THREF
= 0 mA至0.20毫安
0.01
0.10
状态指示灯 - STAT1 ， STAT2
DS21893E第4页
2011 Microchip的技术公司
