MCP651/2/4/5/9
公式4-7 ：
n
P
PKG
=
其中：
∑
P
OA
k
=1
N =运算放大器在包的数量（ 1或2）
最高环境温度到结温升高
(ΔT
JA
）和结温（T
J
）可以计算
使用最大期望封装功率（P
PKG
),
环境温度（T
A
）以及封装的热
电阻（ θ
JA
）发现
表1-4：
当用这些运来驱动大电容负载
安培（如> 20 pF的，当G = 1 ） ，小编
在输出电阻器（R
ISO
in
图4-9 ）
改善
反馈回路的相位容限（稳定性）通过使
输出负载在较高的频率。该
带宽通常会比低带宽
不带容性负载。
R
G
R
F
R
ISO
V
OUT
C
L
R
N
MCP65X
公式4-8 ：
ΔT
JA
=
P
PKG
θ
JA
T
J
=
T
A
+
ΔT
JA
最坏情况下的功率降额的运算放大器在
特定的包可以很容易地计算出：
图4-9：
输出电阻R
ISO
稳定大容性负载。
图4-10
给推荐
ISO
值
不同的容性负载和增益。 x轴是
归一化负载电容（C
L
/G
N
） ，其中G
N
为
电路的噪声增益。对于同相增益，G
N
和
信号增益是相等的。对于反相增益，G
N
is
1+ |信号增益| （例如， -1 V / V给人摹
N
= +2 V/V).
100
推荐的
ISO
()
公式4-9 ：
T
JMAX
–
T
A
P
PKG
≤
--------------------------
θ
JA
其中：
T
JMAX
=绝对最高结
温度（℃）
T
A
=环境温度（℃）
多种技术可用来减少
ΔT
JA
一
给定包：
减少
θ
JA
- 使用另一个包
- 提高了PCB布局（地平面等）
- 添加散热片和空气流
减少
MAX（ P
PKG
)
- 加大研发投入
L
- 减少
L
- 限制我
OUT
基于R
ISO
（见
图4-9 ）
- 减少V
DD
10
G
N
= +1
G
N
≥
+2
1
10p
1.E-11
100p
1n
1.E-10
1.E-09
归一化电容;
L
/G
N
(F)
10n
1.E-08
图4-10 ：
推荐的
ISO
值
对于容性负载。
选择R后
ISO
为您的电路，双重检查
频率响应峰值和步骤
响应过冲。修改
ISO
的值，直到
合理的响应。进行基准评估和
模拟与MCP651 / 2/4 /5/9的SPICE宏
模型是有帮助的。
4.4
4.4.1
提高稳定性
容性负载
4.4.2
增益峰值
驱动较大的容性负载会使稳定
问题电压反馈运算放大器。作为负载
电容增大时，反馈环路的相位
容限降低，闭环带宽是
减少。这产生增益尖峰频率
对此，有过冲和振铃的步骤
反应。看
图2-30 。
单位增益缓冲器（G = 1 ）
是最敏感的容性负载，虽然所有
增益的一般性能相同。
图4-11
示出表示一个运算放大器电路
非反相放大器（V
M
是直流电压和V
P
is
输入）或反相放大器（V
P
是直流电压
和V
M
是输入） 。电容C
N
和C
G
代表在输入引脚上的总电容他们
包括运算放大器的共模输入电容
(C
CM
） ，电路板寄生电容和任何电容
平行放置。
2011 Microchip的技术公司
DS22146B第27页
