MCP651/2/4/5/9
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/3, V
OUT
= V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 kΩ到V
L
, C
L
= 20 pF的，和CAL / CS = V
SS
.
10
9
8
7
6
5
G = 1 / V
G = 2 V / V
4
G
4 V/V
3
2
1
0
10p
100p
1.0E-10
1n
10n
1.0E-11
1.0E-09
归一化容性负载;
L
/ G （ F）
150
140
130
120
110
100
90
80
70
R
S
= 10 k
60
R
S
= 100 k
50
1k
10k
1.E+03
1.E+04
R
S
= 0
R
S
= 1 k
增益峰值（分贝）
通道到通道
分离（ dB）的
RTI
V
CM
= V
DD
/2
G = + 1V / V
100k
1M
1.E+05
1.E+06
频率（Hz）
10M
1.E+07
图2-30 ：
增益峰值与
归一化容性负载。
图2-31：
通道到通道
分离与频率。
DS22146B第14页
2011 Microchip的技术公司
