MCP6291/1R/2/3/4/5
温度参数
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.4V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻， 6L- SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
230
85
163
206
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
-40
-65
—
—
+125
+150
°C
°C
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
结温度（T
J
）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.1
CS
V
IL
t
ON
V
OUT
高阻
V
IH
t
关闭
高阻
V
IN
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-2 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
I
SS
-0.7 A
（典型值）
0.7 A
（典型值）
-1.0毫安
（典型值）
10 nA的
（典型值）
-0.7 A
（典型值）
0.7 A
（典型值）
MCP629X
I
CS
图1-1：
时序图的
在MCP6293片选（ CS ）引脚和
MCP6295.
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP629X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
DS21812E第4页
2007 Microchip的技术公司
