MCP3426/7/8
电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数的适用对于T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DD
= +5.0V, V
SS
= 0V,
CHN + = CHn- = V
REF
/2, V
INCOM
= V
REF
/ 2 。所有ppm单位使用2 * V
REF
差分满量程范围。
参数
偏移误差
失调漂移与温度的关系
共模抑制
增益与V
DD
在直流电源抑制
输入
电源要求
电压范围
在电源电流
转变
电源电流待机过程中
模式
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
施密特触发器的滞后
用于输入
（注7 ）
电源电流，当我
2
C总线
线是有源
输入漏电流
V
DD
I
DDA
I
DDS
2.7
—
—
—
—
145
135
0.3
5.5
180
—
1
V
A
A
A
V
DD
= 5.0V
V
DD
= 3.0V
V
DD
= 5.0V
符号
V
OS
民
—
—
—
—
—
—
典型值
30
50
105
110
5
100
最大
—
—
—
—
—
—
单位
V
内华达州/ ℃，
dB
dB
PPM / V
dB
在DC和PGA = 1 ，
在DC和PGA = 8 ，T
A
= +25°C
T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.7V至5.5V ，
PGA = 1
T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.7V至5.5V ，
PGA = 1
PGA = 1
DR = 15 SPS
条件
I
2
C数字输入和数字输出
V
IH
V
IL
V
OL
V
HYST
I
DDB
I
ILH
I
生病
我的逻辑状态
2
C类地址引脚（注8）
ADR0和ADR1销
ADR0和ADR1销
ADR0和ADR1销
Addr_Low
ADDR_HIGH
Addr_Float
V
SS
0.75V
DD
0.35V
DD
—
—
—
0.2V
DD
V
DD
0.6V
DD
V
V
V
设备读取逻辑低。
设备读取的逻辑高电平。
读取引脚电压，如果电压
施加到地址引脚。
（注9 ）
器件输出浮动输出
电压（V
DD
/ 2）上的地址
销，如果左“浮动” 。
（注10 ）
pF
pF
0.7V
DD
—
—
0.05V
DD
—
—
-1
—
—
—
—
—
—
—
V
DD
0.3V
DD
0.4
—
10
1
—
V
V
V
V
A
A
A
在SDA和SCL引脚
在SDA和SCL引脚
I
OL
= 3毫安
f
SCL
= 100千赫
设备处于待机模式时
I
2
C总线处于活动状态
V
IH
= 5.5V
V
IL
= GND
—
V
DD
/2
—
引脚电容和我
2
C总线电容
引脚电容
I 2 C总线电容
注1 ：
2
C
针
C
b
—
—
4
—
10
400
低于或超过此电压值的任意输入电压将导致泄漏电流通过ESD二极管的输入引脚。
此参数为特征，而不是100 ％测试。
2:
输入阻抗是由于内部3.2 pF的输入采样电容。
3:
此参数通过设计保证，而不是100 ％测试。
4:
总转换速度包括失调和增益的自动校准。
5:
INL是端点线与量化频带的中心测量的代码之间的差。
6:
包括由板载PGA和V的所有错误
REF
.
7:
此参数为特征，而不是100 ％测试。
8:
MCP3427和MCP3428只。
9:
Addr_Float电压在地址引脚应用。
10:
没有电压的地址引脚（左“浮动” ）应用。
DS22226A第6页
2009年Microchip的科技公司
