MCP3301
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V和V
REF
= 5V 。全差分
输入配置（图
1-5)
与2.5V的固定的共模电压。所有参数适用于以下温度
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
（注
7).
转换速度（
F
样品）
为100ksps
F
CLK
= 17*
F
样品
参数
参考输入
电压范围
漏电流
模拟输入
满量程输入范围
绝对输入电压
IN （+） - IN （ - ）
IN （+）
IN （ - ）
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
时序特定网络阳离子
时钟频率
（注8）
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
9:
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
二进制补
0.7 V
DD
—
4.1
—
-10
-10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
T
AMB
= 25 ° C，F = 1MHz时，
注1
V
DD
= 5V,
F
样品
= 100 kSPS时
注5
注5
R
S
C
样品
-V
REF
-0.3
-0.3
—
—
—
—
—
—
0.001
1
25
V
REF
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
±1
—
—
V
V
V
A
k
pF
SEE
图5-3
SEE
图5-3
0.4
—
—
—
100
0.001
V
DD
150
3
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
F
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
0.085
275
275
100
—
—
—
580
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.7
—
—
—
125
200
125
200
100
—
100
100
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 5V ，见
图1-2
V
DD
= 2.7V ，见
图1-2
V
DD
= 5V ，见
图1-2
V
DD
= 2.7V ，见
图1-2
见测试电路，
图1-2 ;
注1
见测试电路，
图1-2 ;
注1
见测试电路，
图1-2 ;
注1
该规范是由特征值，并未经过100％测试。
请参见转换器性能与V特性曲线
REF
的水平。
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的。
V
DD
= 5V直流±500 mV的
P-P
@ 1 kHz时，见测试电路
图1-4 。
最大时钟频率规格必须满足。
V
REF
= 400 mV时， V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
MSOP封装器件仅在25 ° C和+ 85°C 。
对于较慢的采样速率，请参见
第5.2.1节“保持最小时钟速率”
有关时钟频率的限制。
4.5V - 5.5V的电源电压范围内，以性能
DS21700D第4页
2011 Microchip的技术公司
