MCP1802
6.3
稳压器
结温估计
为了估计内部结温，
计算得到的温升加上环境温度或
偏移温度。对于这个例子，在最坏情况下的
结温度估计在下表中。
T
J
= T
JRISE
+ T
A（最大值）
T
J
= 81.42°C
最大封装功耗为+ 25°C
环境温度
SOT- 23-5 （ 256 ° C /瓦= Rθ
JA
)
P
D（最大）
= （ 85°C - 25 ° C） / 256 ° C / W
P
D（最大）
= 234毫瓦
内部功耗，结温升高，
结温与最大功率耗散
计算在下面的例子。电源
耗散，地电流的结果，是小
到可以忽略。
6.3.1
包
功耗示例
封装类型= SOT- 23-5
输入电压
V
IN
= 2.4V至5.0V
LDO的输出电压和电流
V
OUT
= 1.8V
I
OUT
= 50毫安
最高环境温度
T
A（最大值）
= +40°C
内部功耗
内部功耗LDO的产品
输出电流乘以LDO电压
(V
IN
到V
OUT
).
P
LDO （MAX）
= (V
IN （MAX）
- V
OUT （分钟）
） ×1
输出（最大）
P
LDO
= （ 5.0V - （ 0.98个1.8V ） ）× 50毫安
P
LDO
= 161.8毫瓦
6.4
参考电压
在MCP1802可不能只作为监管机构，但
还可以用作低静态电流电压基准。在
许多单片机应用中，初始精度
参考可以使用生产测试校准
设备或通过使用一个比测量。当
初始精度被校准，则热稳定性和
行规的公差是引入的误差只有
由MCP1802 LDO 。低成本，低静态
目前，小型陶瓷输出电容都
当使用MCP1802作为电压的优点
参考。
器件的结温升高
内部结温上升的函数
内部功耗和热阻
从结点到环境的应用程序。该
从结到环境（ Rθ热阻
JA
）是
源自一个EIA / JEDEC标准衡量
小型表面贴装封装的热阻。
在EIA / JEDEC规格JESD51-7 ，
高
含铅有效导热系数测试板
表面贴装封装“ 。
该标准描述了
测试方法和电路板的规格测量
从结点到环境的热阻。实际
对于特定的应用可以变化的热阻
这取决于许多因素，如铜的面积和
厚度。请参考AN792 ，
“方法确定
多大的权力，一个SOT23封装，可在消散
应用“ ，
（ DS00792）可以获得更多的信息
关于这个问题。
T
J（下RISE ）
= P
总
X RQ
JA
T
JRISE
= 161.8毫瓦X 256.0
°
C /瓦
T
JRISE
= 41.42
°
C
25 μA偏置
C
IN
1 F
比例参考
MCP1802
PIC
微控制器
C
OUT
1 F
V
REF
ADO
AD1
V
IN
V
OUT
GND
桥传感器
图6-2：
使用MCP1802作为
基准电压源。
6.5
脉冲负载应用
对于某些应用，有负载电流脉冲
可能超过指定300毫安事件
MCP1802的最大规格。内部
在MCP1802的电流限制可以防止高峰
从造成不可恢复的破坏荷载的要求。
300 mA是最大连续
投资评级。只要平均电流不超过
300毫安，也不是包装的最大功率耗散
装置中，更高的脉冲负载电流可以被施加到
在MCP1802
.
典型的电流限制为
MCP1802是380毫安（T
A
+25°C).
DS22053B第18页
2009年Microchip的科技公司
