3
3.1
电气特性
i.MX25芯片级条件
由于从美国国际贸易委员会的命令， BGA封装生产线和部分数字表示这里目前没有
之前， 2010年9月从飞思卡尔在美国进口或销售： MCIMX253DVM4 ， MCIMX257DVM4 ， MCIMX253CVM4 ，
MCIMX257CVM4和MCIMX258CVM4 。
本节提供与器件级和模块级电特性的i.MX25 。
本节提供的芯片级的电特性的集成电路。
3.1.1
DC绝对最大额定值
小心
强调超越那些在列
表4
可能会造成永久性的
损坏设备。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
表4
给人的压力额定值只，功能操作的设备
不是暗示超出所示的条件
表5 。
表4. DC绝对最大额定值
参数
符号
QV
DD
V
ddIOMax
V
ESD
人体模型（ HBM ）
充电设备模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
—
—
—
V
IMAX
T
存储
–0.5
–40
2500
400
200
NV
DD
+ 0.3
105
V
o
C
表4
提供直流绝对最大运行条件。
分钟。
–0.5
–0.5
马克斯。
1.52
3.6
单位
V
V
V
电源电压
电源电压（电平转换I / O）
静电放电抗扰度伤害：
输入电压范围
存储温度范围
3.1.2
直流工作条件
表5. DC工作条件
参数
符号
QV
DD
QV
DD
V
DD_BAT
NV
DD_GPIO1
分钟。
1.15
1.38
1.15
1.75
典型值。
1.34
1.45
—
—
马克斯。
1.52
1.52
1.55
3.6
单位
V
V
V
V
表5
提供了DC推荐工作条件。
核心供电电压（ 266兆赫）
核心供电电压（在400MHz ）
纽扣电池
1
BAT_VDD
I / O电源电压， GPIO
NFC ， CSI ， SDIO
i.MX25应用处理器为消费者和工业产品，第1版
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飞思卡尔半导体公司
