订购数量： ENA1287
MCH6122
三洋半导体
数据表
MCH6122
应用
PNP外延平面硅晶体管
DC / DC转换器放大器器
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，充电器电路。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
要作出小巧玲珑（ 0.85毫米）超小尺寸的封装允许应用集。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 600毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
-30
-30
-5
-3
-5
-600
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
标记： AY
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"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
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O0808EA TI IM TC- 00001607号A1287-1 / 4
